차세대 AI 메모리 패권을 둘러싼 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4E 경쟁이 본격화됐다. 삼성전자가 지난 5월 29일 ‘세계 최초’ 타이틀을 앞세워 HBM4E 12단 샘플을 출하한 지 약 3주 만에, SK하이닉스가 맞불을 놓았다.
SK하이닉스는 18일 HBM 7세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 공식 발표했다.
핀당 16Gbps·48GB 용량…’숫자’로 말하다
이번 HBM4E 12단 제품은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하며, 12단 적층 기준 48GB 용량을 갖췄다. 이전 세대인 HBM4 대비 에너지 효율을 20% 이상 개선하고, 열 저항은 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서의 안정적 동작을 강점으로 내세웠다.
SK하이닉스는 개선된 MR-MUF(Advanced MR-MUF) 공정을 적용해 구조 안정성과 열 특성을 동시에 끌어올렸다고 설명했다. MR-MUF는 수직 적층된 반도체 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 방식으로, 회로 보호와 발열 관리에 핵심적인 역할을 한다.
‘세계 최초’ vs ‘검증된 양산’…두 전략의 충돌
삼성전자는 올해 2월 HBM4 양산 출하에 이어, 5월에는 HBM4E 12단 샘플의 세계 최초 공급을 연속으로 선언하며 공격적인 선점 전략을 구사하고 있다. 삼성이 발표한 HBM4E 스펙은 HBM4 대비 속도 20% 향상, 에너지 효율 16% 개선, 열저항 14% 개선 수준이다.
반면 SK하이닉스는 ‘타이밍’ 대신 ‘HBM3·HBM3E·HBM4로 이어지는 양산·공급 경험’을 전면에 내세우는 전략을 택했다.
진짜 승부처는 ‘엔비디아 티켓’…양산 수율이 관건
반도체 업계 전문가들에 따르면 HBM4E 샘플 공급은 곧바로 매출로 연결되는 것이 아니라, 차세대 AI 가속기 탑재를 위한 인증 예선전의 성격이 강하다. SK하이닉스는 2026년 2분기 샘플 공급, 2027년 양산을 목표로 제시한 바 있으며, 이번 발표로 2분기 목표를 충족했다는 평가가 나온다.
전문가들은 12단·16단 적층과 초고속 인터페이스가 결합된 HBM4E 세대에서 열 저항과 전력 효율 개선 수치가 단순 홍보 문구 이상의 의미를 지닌다고 본다. 적층 단수가 높아질수록 발열 밀도와 전력 소모가 기하급수적으로 증가하는 구조상, 이를 얼마나 효과적으로 제어하느냐가 향후 16단 이상 고용량 제품 경쟁력의 핵심 전제 조건이 된다는 이유에서다.
SK하이닉스 안현 개발총괄(CDO) 사장은 “AI 혁신을 지속적으로 이끌어갈 기반을 마련했다”며 “‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터’로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.
